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功能描述：TRANS GAN 60V 6A BUMPED DIE
RoHS：否
类别：分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：eGaN®
标准包装：1,000
系列：MESH OVERLAY™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：18A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：180 毫欧 @ 9A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：72nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：1560pF @ 25V
功率 - 最大：40W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 整包
供应商设备封装：TO-220FP
包装：管件